Полевые транзисторы - купить по выгодной цене в ДКО Электронщик. Заказ на сайте www.electronshik.ru с доставкой по России.

Полевые транзисторы

Товары в наличии
Распродажа
Наименование
Корпус
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне U_затв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание
Ёмкость затвора
Особенности

Фильтр×

Производитель:
CN BELL ×

Найдено: 341

Вид:

Наименование \| Рекомендуем	Количество	Цена с НДС	Отгрузка	Корпус	Сопротивление открытого канала при диапазоне U_затв(ном), min	Сопротивление открытого канала при диапазоне U_затв(ном), max	Диапазон номинальных напряжений затвора, min	Диапазон номинальных напряжений затвора, max	Максимальное напряжение затвора	Примечание	Ёмкость затвора	Особенности
BLM3401 (CN BELL) % Выбрать →	398 300 шт.	от 2,09	0 дн. Немедленно	—						P-Channel Trench MOSFET, SOT-23, -30 V, -4,2 A, 0,05 Ohm		High Power and current handing capability, Lead free product is acquired, Surface Mount Package, PWM applications, Load switch, Power management
BL3N150-B (CN BELL) Выбрать →	4 872 шт.	от 71,32	12 дн.							N-Channel High Voltage Planar MOSFET, TO-263, 1500 V, 3 A, 5,8 Ohm		Fast Switching, 100% avalanche tested, Improved dv/dt capability, RoHS product, High frequency switching mode power supply
BL6N120-A (CN BELL) Выбрать →	26 214 шт.	от 58,26	12 дн.	—						N-Channel High Voltage Planar MOSFET, TO-220F, 1300 V, 6 A, 2,3 Ohm		Fast Switching, 100% avalanche tested, Improved dv/dt capability, RoHS product, High frequency switching mode power supply
BLM04N06-B (CN BELL) Выбрать →	610 шт.	от 56,25	13 дн.	—						N-Channel Trench MOSFET, TO-263, 60 V, 150 A, 0,0035 Ohm		Special process technology for high ESD capability, High density cell design for lower Rdson, Fully characterized avalanche voltage and current, Good stability and uniformity with high EAS, Excellent package for good heat dissipation, UIS TESTED, DVDS TESTED, Power switching application, Hard switched and High frequency circuits, Uninterruptible power supply
BLM07N06-D (CN BELL) Выбрать →	40 000 шт.	от 14,82	19 дн.	—						N-Channel Trench MOSFET, TO-252-2L, 60 V, 95 A, 0,006 Ohm		Special process technology for high ESD capability, High density cell design for lower Rdson, Fully characterized avalanche voltage and current, Good stability and uniformity with high EAS, Excellent package for good heat dissipation, UIS TESTED, DVDS TESTED, Power switching application, Hard switched and High frequency circuits, Uninterruptible power supply
BLM10P03-D (CN BELL) Выбрать →	4 340 шт.	от 14,34	12 дн.	—						P-Channel Power MOSFET, TO-252-2L, -30 V, -40 A, 0,008 Ohm		High density cell design for lower Rdson, Excellent package for good heat dissipation, Power switching application, Hard switched and High frequency circuits, Battery Protection
BLM10P03-E (CN BELL) Выбрать →	4 480 шт.	от 12,26	12 дн.	—						P-Channel Power MOSFET, SOP8, -30 V, -15 A, 0,008 Ohm		High density cell design for lower Rdson, Excellent package for good heat dissipation, Power switching application, Hard switched and High frequency circuits, Battery Protection
BLM12P03-R (CN BELL) Выбрать →	3 680 шт.	от 7,71	12 дн.	—	—	—	—	—	—	—	—	—
BLM2301 (CN BELL) Выбрать →	86 308 шт.	от 2,42	13 дн.	—						P-Channel Trench MOSFET, SOT-23, -20 V, -3 A, 0,064 Ohm		High Power and current handing capability, Lead free product is acquired, Surface Mount Package, PWM applications, Load switch, Power management
BLM2302 (CN BELL) Выбрать →	76 122 шт.	от 3,43	12 дн.	—						N-Channel Trench MOSFET, SOT23, 20 V, 2,9 A, 0,03 Ohm		High Power and current handing capability, Lead free product is acquired, Surface Mount Package, Battery protection, Load switch, Power management
BLM2305 (CN BELL) Выбрать →	8 920 шт.	от 2,35	12 дн.	—						P-Channel Trench MOSFET, SOT-23, -20 V, -4,1 A, 0,043 Ohm		High Power and current handing capability, Lead free product is acquired, Surface Mount Package, PWM applications, Load switch, Power management
BLM3400 (CN BELL) Выбрать →	106 388 шт.	от 2,84	12 дн.	—						N-Channel Trench MOSFET, SOT-23, 30 V, 5,8 A, 0,031 Ohm		High Power and current handing capability, Lead free product is acquired, Surface Mount Package, PWM application, Load switch, Power management
BLM3404 (CN BELL) Выбрать →	6 000 шт.	от 3,53	13 дн.	—						N-Channel Trench MOSFET, SOT-23, 30 V, 5,8 A, 0,0255 Ohm		High Power and current handing capability, Lead free product is acquired, Surface Mount Package, Load switch, Power management
BLM3407 (CN BELL) Выбрать →	21 912 шт.	от 3,87	15 дн.	—						P-Channel Trench MOSFET, SOT-23, -30 V, -4,1 A, 0,055 Ohm		High power and current handing capability, Lead free product is acquired, Surface Mount Package, PWM applications, Load switch, Power management
BLM4407 (CN BELL) Выбрать →	3 230 шт.	от 8,79	13 дн.	—						P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET, SOP-8, -30 V, -12 A, 0,0115 Ohm		High power and current handing capability, Lead free product is acquired, Surface Mount Package, Battery Switch, Load switch, Power management
BLM4435 (CN BELL) Выбрать →	3 782 шт.	от 17,98	20 дн.	—						P-Channel Trench MOSFET, SOP-8, -30 V, -9,1 A, 0,015 Ohm		High power and current handing capability, Lead free product is acquired, Surface Mount Package, Battery Switch, Load switch, Power management
BLM9435 (CN BELL) Выбрать →	8 944 шт.	от 3,65	15 дн.	—						P-Channel Trench MOSFET, SOP-8, -30 V, -5,1 A, 0,048 Ohm		High power and current handing capability, Lead free product is acquired, Surface Mount Package, PWM applications, Load switch, Power management
BLP05N08G-B (CN BELL) Выбрать →	259 шт.	от 110,02	3 дн.	—						N-Channel Double Trench MOSFET, TO-263, 85 V, 120 A, 0,0044 Ohm		Fast Switching, Low On-Resistance, Low Gate Charge, Low Reverse transfer capacitances, High avalanche ruggedness, RoHS product, Switching applications, Motor drivers
BLP05N08G-P (CN BELL) Выбрать →	964 шт.	от 54,73	3 дн.	—						N-Channel Double Trench MOSFET, TO-220, 85 V, 120 A, 0,0044 Ohm		Fast Switching, Low On-Resistance, Low Gate Charge, Low Reverse transfer capacitances, High avalanche ruggedness, RoHS product, Switching applications, Motor drivers
BLP065N08G-D (CN BELL) Выбрать →	1 726 шт.	от 20,10	13 дн.	—		—		—		—		—

12 3 4 5 6 7 8 9

Страница 1 из 18, показано 20 товаров из 341

Общее описание

MOSFET - это один из типов транзисторов – полевой транзистор с изолированным затвором. В русском языке принято сокращение МОП или МДП-транзистор. Здесь затвор изолирован от канала слоем диэлектрика – двуокисью кремния. MOSFET транзисторы с встроенным каналом открыты при нулевом напряжении на затворе в отличие от приборов с индуцированным каналом для открывания которых требуется приложить напряжение больше напряжения отпирания.

Наибольшую популярность получили MOSFET транзисторы с индуцированным N-каналом для управления которыми требуется положительный потенциал относительно истока, но и P-канальные транзисторы тоже востребованы в ряде случаев.

Работа MOSFET транзисторов

В отличие от биполярных транзисторов, управляемых током, полевые управляются потенциалом. Основные преимущества MOSFET транзисторов: меньшие потери на управление, более высокая скорость переключения, положительная температурная зависимость сопротивления открытого канала от температуры, отсутствие вторичного пробоя.

Выбор MOSFET транзисторов

Основными параметрами для выбора MOSFET транзисторов являются:

максимальное напряжение сток-исток, V_(BR)DSS;
ток стока номинальный, I_D;
сопротивление открытого канала, R_ds(on);
рассеиваемая мощность, P_D;
заряд затвора, Q_g

Выбор типа канала, максимального напряжения, тока и рассеиваемой мощности определяется конкретными требованиями применяемого схемотехнического решения. При работе в ключевом режиме важным параметром является сопротивление открытого канала, оно определяет потери в статическом режиме. Величина заряда затвора определяет выбор управляющих цепей для обеспечения требуемого быстродействия. Управляющее напряжение MOSFET транзисторов обычно составляет 10-15 В, максимально допустимое 20-30 В. Для управления от цифровых устройств производят транзисторы с пониженным напряжением отпирания – MOSFET с логическим управлением.

Конструкция MOSFET транзисторов

MOSFET транзисторы выпускаются в различных типах корпусов, начиная от миниатюрных типоразмера 0402 (1,0 x 0,6 мм) и до TO-274. Имеются сборки их двух транзисторов или транзистор и диод Шоттки в популярных корпусах SOIC-8.

Купить MOSFET транзисторы

В ДКО Электронщик можно купить MOSFET-транзисторы ведущих азиатских производителей.